Efecto túnel en semiconductores sometidos a campos eléctricos intensos
Abstract
El efecto túnel o filtración cuántica en diversos materiales se mide utilizando cantidades probabilísticas asignadas a un coeficiente de transmisión y a un coeficiente de reflexión de la partícula cargada para atravesar o reflejarse en una barrera de potencial de energía mayor.
El método de aproximación W.KB. (Wentzel, Kramers y Brilloin) es útil para calcular estos coeficientes y nos permite determinar expresiones para diferentes perfiles de potencial, tales como las barreras rectangulares, triangulares y trapezoidales.
El efecto túnel es un fenómeno muy importante en los dispositivos semiconductores porque ayuda a entender y determinar propiedades eléctricas en estos materiales.
La respuesta del comportamiento de un semiconductor P-N a campos eléctricos intensos produce el fenómeno de ruptura Zener, que es una filtración cuántica de banda a banda. Se analiza el comportamiento para diferentes campos a tres materiales semiconductores: InAs, GaAs y AlAs.
